STマイクロエレクトロニクス、小型両面放熱の車載用パワーMOSFETを発表


STマイクロエレクトロニクス(所在地:東京都港区、CEO:Carlo Bozotti、以下ST)は、車載用電子制御ユニット(ECU)の電力密度を高める先進的な両面放熱(DSC : dual-side cooling)のパワーMOSFETを発表した。

このパッケージは、 PowerFLAT(TM) 5×6 DSCで提供され、大手自動車メーカーを筆頭に、株式会社デンソーなど先進的な自動車技術を提供する自動車部品サプライヤーに採用されている。

このSTLD200N4F6AGおよび、STLD125N4F6AGは、車載用モータ制御アプリケーションや、バッテリ逆接続防止、高性能電源スイッチングに適した40V耐圧パワーMOSFETとなる。

PowerFLAT(TM) 5×6 DSCパッケージ(高さ : 0.8mm)は、標準パッケージと同等の実装面積と下面からの熱効率を維持すると同時に、上面のソース電極を露出することで放熱性がさらに向上している。

これにより、電力密度を向上させる高い定格電流を実現できるため、機能、性能および信頼性を低下させることなく、小型ECUの設計が可能になる。

対してSTLD200N4F6AG(ドレイン電流 : 最大120A、オン抵抗 : 最大1.5mΩ)およびSTLD125N4F6AG(ドレイン電流 : 最大120A、オン抵抗 : 最大3.0mΩ)は、高い電力効率を発揮し、システムの熱管理の簡略化に役に立つ。

さらにゲート電荷の合計は、それぞれ172nCと91nCで低容量を実現しており、高い動作周波数での効率的なスイッチングを可能にしている。

これら2品種の40V耐圧パワーMOSFETは、トレンチゲート構造のSTのSTripFET(TM) F6を採用した新製品ファミリの最初の製品であり、車載アプリケーション用に広範な定格電流および定格電圧を提供している。

これらの新製品は、最大内部温度175℃などの過酷な環境下で動作に対応するよう設計され、かつ100%のアバランシェ試験済みで、半田付け実装後に、完全な自動光学検査が可能なウェッタブル・フランク・リードのパッケージで提供される。

STLD200N4F6AGおよびSTLD125N4F6AGは、AEC-Q101規格の認定を取得済みで現在入手可能。

単価は、1000個購入時に約1.15ドルとなっている。また、今年中に、STripFET(TM) F7を採用した新製品が同製品ファミリに追加される予定だ。

詳細は、 http://www.st.com/mosfets  を参照されたい。

なおSTマイクロエレクトロニクスは、高い電力効率を特徴とした半導体を提供する総合半導体メーカーである。

あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、次世代モバイルやIoT機器の他、自動車、工場、都市および住宅でも利用されている。

また同社は10万社を超える顧客企業に半導体を提供しており、2016年の売上は69.7億ドルであった。

製品問い合わせ先
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オートモーティブ & ディスクリート製品グループ
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